偏硼酸钡生产加工工艺制备九种方法(技术说明)
Tag:改性偏硼酸钡、阻燃剂偏硼酸钡、三氧化二锑替代品偏硼酸钡、阻燃协效剂
一种采用恒液面法连续提拉β－ＢＢＯ大单晶，用伺服坩埚进行间歇加料，伺服坩埚与生长坩埚连通，可以实现
边加料、边提拉。由于生长过程中温场恒定，晶体完整性好、透明度高、包裹体少。晶体尺寸大等优点，可大幅
度提高成品率。
一、脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(技术说明)
一种脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，它是采用脉冲激光淀积法，将α-BBO靶材的表层分子熔蒸出
来，在加热的α-BBO衬底上淀积生成β-BBO单晶薄膜。本方法可以在α-BBO衬底上生长出符合需要的微米量级的
β-BBO单晶薄膜，不仅节省材料，还可以批量生产，对激光技术以及集成光学的发展具有重要的意义。
二、熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
(技术说明)
关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶，经全面性能测试工作，证实该晶体是
一种优良的非线性光学、热电等多功能材料，其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤，采用Ｎａ2
三、磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
(技术说明)
一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射
方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α-BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难
的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效
益。
四、溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡的方法
(技术说明) 本发明涉及一种用溶剂恒液面提拉生长β－偏硼酸钡（β－ＢＢａ）单晶的方法，属于晶体生长领域
。$本发明生长熔剂可分别采用Ｎa2
五、高温相偏硼酸钡(α－BaB2O4)晶体的生长方法
(技术说明) 一种高温相偏硼酸钡（α－ＢａＢ２
六、低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
(技术说明) 一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，包括如下具体步骤：在铂金坩埚内，放置有带气孔的Li2
七、气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
(技术说明)
气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡（β－ＢＢＯ）大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长ＢＢＯ晶体时
，用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却，加快了生长界面处结
晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程，从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用，使Ｂ
ＢＯ晶体的生长速度提高了３～５倍，达１．５～２．５mm／天。晶体在紫外波段（２００～３４０mm）的透过
率提高了１０％，达８０％以上。
八、一种低温相偏硼酸钡纳米粉体的制备方法
(技术说明)
一种制备无团聚低温相偏硼酸钡(BBO)纳米粉体的方法，属于精细化工领域。本发明的主要特征是以无机钡盐和硼
酸的水溶液为原料，以有机胺为沉淀剂，沉淀过滤、干燥，在650～850℃之间煅烧，可获得平均粒径为40纳米的
无团聚，无杂相的BBO纳米粉体。该方法突出特点是：原料采用无机盐，不必加表面活性剂，不必减压干燥、离心
分离，可得到无团聚，无杂相，高纯度的BBO纳米粉体。该方法制备的粉体质量好，工艺简单稳定，生产成本低，
易实现大规模生产。
九、低温相偏硼酸钡纳米粉的制备方法
(技术说明)
改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
水热反应制备偏硼酸钡纳米线的方法
公司经营产品：
